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光耦
柵極驅動光耦

柵極驅動光耦

柵極(ji)(ji)驅(qu)(qu)動(dong)光(guang)耦(ou)(ou)比較適(shi)合驅(qu)(qu)動(dong)功(gong)率(lv)IGBT和MOSFET, 較高的(de)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)(ya)能(neng)達(da)到功(gong)率(lv)器件的(de)柵極(ji)(ji)電(dian)壓(ya)(ya)驅(qu)(qu)動(dong)要求。電(dian)壓(ya)(ya)和電(dian)流由這些(xie)光(guang)耦(ou)(ou)提(ti)供，使它們能(neng)直(zhi)接驅(qu)(qu)動(dong)IGBT。柵極(ji)(ji)驅(qu)(qu)動(dong)光(guang)耦(ou)(ou)用于(yu)在(zai)控制(zhi)(zhi)電(dian)路(lu)和高壓(ya)(ya)之(zhi)間，提(ti)供增(zeng)強(qiang)的(de)電(dian)絕緣。其仰制(zhi)(zhi)高共(gong)模噪(zao)聲(sheng)的(de)能(neng)力可防(fang)止(zhi)在(zai)高頻(pin)開關(guan)期間功(gong)率(lv)半導體的(de)誤動(dong)作。其共(gong)模瞬態(tai)耐久性最高等(deng)(deng)級為 35kV/?s, 可用于(yu)逆變(bian)器、伺服系統等(deng)(deng)噪(zao)聲(sheng)環境惡劣的(de)工(gong)業(ye)產品。
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