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2023年 3月14 ~ 16日，【2023 春季亞洲(zhou)(zhou)充(chong)(chong)電展(zhan)】在深圳福(fu)田(tian)會展(zhan)中(zhong)心舉行(xing)，超過 200家(jia)知名(ming)企(qi)業參展(zhan)并展(zhan)示最(zui)新產品及(ji)方案，報名(ming)人(ren)數突破 20000+，50多位大咖上(shang)臺演講，1000+ 最(zui)新充(chong)(chong)電方案在現場(chang)發(fa)布。成為今年首場(chang)充(chong)(chong)電大型展(zhan)會，引(yin)起業界高度關注(zhu)。近年來(lai)，亞洲(zhou)(zhou)充(chong)(chong)電展(zhan)吸(xi)引(yin)著(zhu)來(lai)自全球數千家(jia)企(qi)業參與，覆蓋快(kuai)充(chong)(chong)、無線充(chong)(chong)、儲能、新能源等領域，尤其是在推(tui)進快(kuai)充(chong)(chong)、無線充(chong)(chong)技(ji)術的(de)應(ying)用與普及(ji)。

此(ci)次捷捷微電(dian)攜諸多(duo)新款 MOSFET、TVS、保護器(qi)(qi)件等(deng)精彩亮(liang)相。產品廣泛應用(yong)于移動(dong)快(kuai)(kuai)充(chong)、BMS、新能源(yuan)、電(dian)機控制、適配器(qi)(qi)快(kuai)(kuai)充(chong)、光(guang)伏(fu)逆變、充(chong)電(dian)樁、移動(dong)快(kuai)(kuai)充(chong)、消費類電(dian)子、通訊電(dian)源(yuan)等(deng)領域。

百余款車(che)規級 MOSFETs 擊穿電壓范圍 V_{BR(DSS)_Min} 從 -100V 到 650V，導通內阻(zu)低至0.56mΩ (@V_GS = 10V)，FOM 低(di)至 55。這些功率 MOSFET 提供多(duo)種(zhong)車規級小型和大功率封裝選項，薄型低(di)熱阻貼片式如(ru)：PDFN3x3-8L、PDFN5x6-8L/-D、PowerJE^?7×8、PowerJE^?10×12，高熱(re)效插件式如TO-247-3L、TO-252-3L、TO-263-3L/7L。所有產品在(zai)可靠性和品質(zhi)方面(mian)，均符合 AEC Council 及 JEDEC 等相(xiang)關測試標準。

JSFET^?系列的 JMSH1001ATL (V_{DS_Max}=100V)? 采用先進 PowerJE^?10×12封裝。在V_GS=10V 條件下, 器件的 R_{DS(ON)_Typ} 及 FOM 測量值分別是 1.3mΩ/202，電氣特性達國內領先水平。極低的導通電阻有助于提高運行效能，降低系統成本，并延長器件的使用壽命。該器件曾榮獲“2022年度中國IC設計成就獎之年度最佳功率器件”，目前廣泛(fan)應用于電動工具、輕(qing)型(xing)電動車輛、光伏(fu)儲(chu)能(neng)逆變(bian)器、5G 通信及 PoE++ 等終端。

演講現場

展會期間，捷捷微電業務拓展副總于瑋詔先生受邀出席全球第三代半導體產業峰會，以《一個萬能的接口，下一步呢？》為主題發表演講。介紹了捷捷微電近來來在快充領域的布局，如何為消費類電子提供更便攜、更安全的用電。并進一步指出移動 3C 終端的充電器越來越短小，有限的內殼空間使工作溫度升高，造成充電器內部所用器件的穩定性和效能方面的要求極為嚴苛。捷捷微電自主研發的JSFET 及 JHFET 能輕松解決了電路設計工程師所面臨，合理成本和高電源轉換效率這兩個沖突的難題。

捷捷微電(dian)依托(tuo)自身多年的(de)產品與技(ji)術積(ji)淀，積(ji)極推(tui)進(jin)在(zai)汽車(che)、工業控(kong)制、新(xin)能源(yuan)方面的(de)應用突破，持續加大研發(fa)投入，通過持續的(de)技(ji)術創新(xin)和產業化升級，保持在(zai)業內的(de)領(ling)先優勢，不斷推(tui)出適應市場需求的(de)新(xin)技(ji)術、新(xin)產品。致(zhi)力于(yu)成(cheng)為世界領(ling)先的(de)功率半導體器件整合制造(zao)商，助力集(ji)成(cheng)電(dian)路行(xing)業新(xin)發(fa)展(zhan)。