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快速充電器 快充(chong) (兼容(rong)標準和私有協議) 充(chong)電器
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快充 (兼容標準和私有協議) 充電器

輸出功率從 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充協議 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一個或多個 USB Type-A 及 Type-C 輸出接口的快充充電器日益普遍。它們可以一物多用，同時為智能手機、平板、智能手表及筆記本電腦等萬物互聯數字化終端里面的鋰電池快速充電。采用第三代半導體功率器件（氮化鎵 D/E-mode HEMT）的設計，體積小巧以及使用時溫度不會燙手，由于因近年多家世界排名前列的智能手機 OEM 不把充電器隨著新款手機一起標配而形成曲棍球棒效應，使得這類小巧的快充充電器成為市場主流。

市場上的快充充電器，常用的交直流電源轉換拓撲是 Flyback 及 LLC。Flyback 拓撲常見于功率比較小的設計，LLC 拓撲則常見于功率較大及對交直流電源轉換效率要求較高的設計。因為 BOM 相對 LLC 拓撲比較簡單，ACF-Flyback 拓撲也開始被中/小功率的設計采用，特別是初級使用高壓氮化鎵 HEMT 的設計。無論是那種拓撲，快充充電器的內部結構示意圖大概如上：

針對快充充電器的成用，捷捷微電 能提供完整的分立器件解決方案。比如，AC 輸入端防浪涌的 MOV、TVS、鉗制變壓器漏感而對原邊的高壓 MOSFETs VDS_Max 產生過壓的快(kuai)恢復整流管、原(yuan)邊(bian) PFC (75W 以上的設計(ji)) 和匹配 PWM 的高(gao)壓 MOSFET、副邊(bian)同步整流中/低壓 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低壓 MOSFETs 及 ESD 保護等。

Product
Name		 Charger's
O/P (W)		 IF(AV)_Max
(A)		 VRRM_Max
(V)		 IFSM_Max
(A)		 VF_Max
(V)		 @ IF
(A)		 IR_Max
(mA)		 CJ_Max
(pF)		 trr_Max
(ns)		 Package
RS1010FL 20 ~ 65 1.0 1000 25 1.3 1.0 5.0 7.0 500 SOD-123FL
RS1MAF 20 ~ 65 1.0 1000 30 1.3 1.0 5.0 7.0 500 SMAF
RS3MB 90 ~ 120 3.0 1000 100 1.3 3.0 5.0 30.0 500 SMB
US5M 90 ~ 120 5.0 1000 125 1.7 5.0 5.0 35.0 75 SMC
Product
Name		 Pin(s)
Protected		 Direction VRWM_Max
(V)		 VBR_Min
(V)		 VC_Max
(V)		 @ IPP
(A)		 IR_Max
(mA)		 PPP_Max
(W)		 VESD-Air_Max
(kV)		 VESD-Contact_Max
(kV)		 CJ_Typ
(pF)		 Package
JEU24P3 VBUS Uni-dir 24.0 26.0 35.0 200 0.50 5,100 ±30 ±30 750 DFN2x2-3L
JEU12N3 VBUS Uni-dir 12.0 13.0 32.0 180 1.00 4,500 ±30 ±30 950 DFN2x2-3L
JEU12T2BL CC0 / CC1 Uni-dir 12.0 13.0 26.0 20 0.15 500 ±30 ±30 90 SOT23
JEU05T2B CC0 / CC1 Uni-dir 5.0 6.0 16.7 18 1.00 350 ±15 ±8 150 SOT23
JEB12C D+ / D- Bi-dir 12.0 13.3 30.0 12 1.00 350 ±30 ±30 1.0 SOD-323
JEB03CX D+ / D- Bi-dir 3.3 3.6 17.5 20 0.10 350 ±30 ±30 1.0 SOD-323

不論在原邊使用的是傳統的超結高壓 MOSFET、或是日益受電路設計工程師及消費者追捧的氮化鎵 D/E-mode HEMT，在拓撲的副邊，捷捷微電先進 JHFET? 技術平臺超結 (super-junction) 的高壓 MOSFETs 在原邊開關、先進 JSFET? 技術平臺的中/低壓 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C? 端口電流輸出開關等位置，都能提供穩定可靠而高功效的運作。

建立在 JHFET 技術平臺的 650VDS_Max SJ N-MOSFETs，導通阻抗 RDS(ON) 低至 169mΩ、Qg 低至 9.7nC、Ciss 低至 333pF，所有產品均百分百通過 UIS 測試。建立在 JSFET 技術平臺的 30 ~ 150 VDS_Max SGT N-MOSFETs，導通阻抗 RDS(ON) 低至 1.2mΩ、Qg 低至 7.7nC、FOM 低至 47，所有產品均百分百通過 UIS 測試。憑借極低的 Ciss、Coss、Crss、Qg、和(he)卓(zhuo)越(yue)的安全操作區域 (SOA) 等，這(zhe)些功率器件能(neng)更(geng)有(you)效地解決在終端應用(yong)中存在的 軟/硬(ying)開關(guan)、電感負載(zai)、EMI 等難(nan)題。能(neng)夠有(you)如此突出的靜態和(he)動態電氣特性，是因為捷捷微電的自(zi)有(you)知識產權 JSFET 及 JHFET 技術平臺，各項工藝(yi)參數早已躋身國際(ji)一流(liu)水平。

Product
Name		 JJM
Package		 Compatible
Industry-Common
Package		 Platform Configuration VDS_Max
(V)		 ID_Max
(A)		 VGS(th)_Typ
(V)		 RDS(ON)_Typ
@ VGS=10V
(mΩ)		 RDS(ON)_Max
@ VGS=10V
(mΩ)		 VGS_Max
(V)		 Ciss_Typ
(pF)		 Qg_Typ
(nC)		 EAS_Max
(mJ)		 FOM Applicability
JMH65R190APLN DFN8080-4L - SJ N 650 17 3.5 169 190 ±20 1,560 38.0 405 6,422 for POUT > 100W
JMH65R190AF TO-220FP-3L - SJ N 650 20 3.5 170 190 ±20 1,560 38.0 405 6,460 for POUT > 100W
JMH65R290APLN DFN8080-4L - SJ N 650 10 3.5 262 290 ±20 1,056 22.0 281 5,764 for POUT≤100W
JMH65R290ACFP TO-220FP-NL - SJ N 650 12 3.5 260 290 ±20 1,056 22.0 281 5,720 for POUT ≤ 100W
JMH65R430APLN DFN8080-4L - SJ N 650 10 3.5 370 430 ±20 703 18.4 180 6808 for POUT≤ 65W
JMH65R430AF TO-220FP-3L - SJ N 650 11 3.5 364 430 ±20 703 18.4 180 6,698 for POUT ≤ 65W
JMH65R430ACFP TO-220FP-NL - SJ N 650 11 3.5 364 430 ±20 703 18.4 180 6,698 for POUT≤ 65W
JMH65R430AK TO-252-3L DPAK SJ N 650 11 3.5 370 430 ±20 703 18.4 180 6,808 for POUT≤ 65W
JMH65R490AFFD TO-220FP-3L - SJ N 650 5 3.5 430 490 ±20 677 20.0 180 8,600 for POUT≤45W
JMH65R980AFFD TO-220FP-3L - SJ N 650 4 3.5 895 980 ±20 343 10.1 72 9,040 for POUT≤ 20W
JMH65R980AK TO-252-3L - SJ N 650 4 3.5 900 980 ±20 333 9.7 80 8,730 for POUT≤20W
Product
Name		 JJM
Package		 Compatible
Industry-Common
Package		 Platform Configuration VDS_Max
(V)		 ID_Max
(A)		 VGS(th)_Typ
(V)		 RDS(ON)_Typ
@ VGS=10V
(mΩ)		 RDS(ON)_Max
@ VGS=10V
(mΩ)		 VGS_Max
(V)		 Ciss_Typ
(pF)		 Qg_Typ
(nC)		 EAS_Max
(mJ)		 FOM Applicability
JMSL0609AP SOP-8L SOP-8 SGT N 60 14 1.7 7.5 9.5 ±20 1,083 17.2 34 129 for POUT < 65W
JMSL0609AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 60 43 1.5 7.2 9.4 ±20 1,087 16.6 34 120 for POUT < 65W
JMSL1003AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 135 1.6 2.8 3.4 ±20 4,646 78.0 259 218 for POUT ≥ 100W
JMSL1004BG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 117 1.7 3.4 4.1 ±20 3,709 13.9 20 47 for POUT ≥ 100W
JMSL1006AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 108 1.9 4.7 5.9 ±20 2,604 42.0 110 197 for POUT≥ 65W
JMSH1006AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 102 2.7 5.3 6.6 ±20 2,369 38.0 110 201 for POUT≥ 65W
JMSL1008AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 93 1.7 6.0 7.6 ±20 2,200 34.0 101 204 for POUT < 65W
JMSL1009AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 75 1.7 7.0 8.2 ±20 1,314 25.0 86 175 for POUT < 65W
JMSL1010AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 58 1.9 8.0 10.0 ±20 1,535 26.0 94 208 for POUT < 65W
JMSL1018AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 35 1.9 14.5 18.2 ±20 769 13.0 29 189 for POUT < 65W
JMSL1018AP SOP-8L SOP-8L SGT N 100 8 1.9 15.8 19.8 ±20 769 12.7 24 201 for POUT < 30W
JMSH1207AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 120 94 3.0 5.6 7.0 ±20 2,208 35.0 135 196 for POUT ≥ 65W
JMSH1509AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 150 75 3.0 8.5 9.9 ±20 2,181 30.0 231 255 for POUT < 65W
Product
Name		 JJM
Package		 Compatible
Industry-Common
Package		 Platform Configuration VDS_Max
(V)		 ID_Max
(A)		 VGS(th)_Typ
(V)		 RDS(ON)_Typ
@ VGS=10V
(mΩ)		 RDS(ON)_Max
@ VGS=10V
(mΩ)		 VGS_Max
(V)		 Ciss_Typ
(pF)		 Qg_Typ
(nC)		 EAS_Max
(mJ)		 FOM Applicability
JMTQ080P03A PDFN3x3-8L PQFN 3x3 Trench P -30 -45 -1.5 5.8 7.3 ±20 4,650 45.0 144 261 for IOUT≥3A_D
JMTQ100P03A PDFN3x3-8L PQFN 3x3 Trench P -30 -40 -1.6 7.5 10.0 ±20 3,564 37.0 121 278 for IOUT < 3A
JMSL0302AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 145 1.7 1.2 1.5 ±20 2,975 39.0 101 47 for IOUT≥ 5A
JMSL0302BU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 135 1.6 1.5 1.9 ±20 2,526 40.0 94 60 for IOUT ≥ 5A
JMSL0303AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 119 1.6 1.8 2.2 ±20 2,091 32.0 61 58 for IOUT≥ 5A
JMSL0310AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 60 1.7 4.0 5.0 ±20 866 13.5 20 54 for IOUT < 5A
JMSL0315AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 43 1.7 7.0 8.8 ±20 468 7.7 9 54 for IOUT < 3A
JMSL0315AUD PDFN3x3-8L_D - SGT N + N 30 36 1.7 8.8 11.0 ±20 468 7.7 9 68 for IOUT ≤ 2A
JMSL0402AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 40 119 1.5 2.0 2.5 ±20 2,131 36.0 126 72 for IOUT ≥ 5A
JMSL0403AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 40 99 1.6 2.5 3.1 ±20 1,424 22.0 79 55 for IOUT≤ 5A
JMSL0406AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 40 55 1.7 4.5 5.6 ±20 1,204 17.9 36 81 for IOUT < 5A

目(mu)前捷(jie)(jie)捷(jie)(jie)微(wei)電主要聚焦在消費(fei)類(lei)、電腦及(ji)周(zhou)邊、工業用(yong)、通(tong)信用(yong)、及(ji)車(che)用(yong)等的(de)(de)(de)終端市場(chang)。因為(wei)深知產品(pin)必(bi)需跟應(ying)用(yong)掛鉤(gou)，捷(jie)(jie)捷(jie)(jie)微(wei)電一直努力貼(tie)近市場(chang)和(he)客戶，清楚認識那些 JSFET 及(ji) JHFET 的(de)(de)(de)參數和(he)特性，能讓客戶的(de)(de)(de)產品(pin)兼具(ju)高能效和(he)長期可靠性，同時又保持高性價比。消費(fei)者(zhe)對體積和(he)重(zhong)量的(de)(de)(de)不(bu)斷(duan)追求，因而移動 3C (computing, communications, consumer electronics) 終端的(de)(de)(de)充電器(qi)越(yue)來越(yue)短小，有限的(de)(de)(de)內殼(ke)空(kong)間使(shi)工作溫度(du)升高，造成充電器(qi)內部所用(yong)器(qi)件的(de)(de)(de)穩定(ding)性和(he)效能方(fang)面(mian)的(de)(de)(de)要求極(ji)為(wei)嚴苛。JSFET 及(ji) JHFET輕松解(jie)決了電路設計工程師所面(mian)臨，合(he)理成本和(he)高電源轉換效率這兩(liang)個衝突(tu)的(de)(de)(de)難(nan)題。JSFET 及(ji) JHFET 采用(yong)先進(jin)封裝如(ru) PDFN3x3 / 5x6、TO-220 / 247 / 251 / 252 / 263、SOP-8 等，優化的(de)(de)(de)框架和(he)引接工藝不(bu)僅有效地増強熱應(ying)力處理、低降熱阻，同時也(ye)提(ti)升質量和(he)可靠性，符(fu)合(he) RoHS 標(biao)準且不(bu)含鹵素。

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